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SiC雪崩能力测试仪

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产品描述
参数

  SiC雪崩能力测试仪

  用于二极管、三极管、MOS管及IGBT等器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流可达到200A,雪崩电压测试可达到5000V。设备满足电压在5000V及以下范围内二极管、三极管、MOS管及IGBT等器件的测试需求。计算机系统控制,具有波形显示功能。

  雪崩电压:50~5000V

  50~1500V±3%±2V

  1500~3000V±3%±5V

  3000~5000V±3%±10V

  雪崩电流:0.1~200A

  0.1~1A±3%±0.01A

  1~10A±3%±0.1A

  10~200A±3%±1A

  脉冲宽度:1~500Us

  雪崩能量:1mJ~10J

  测试模式:单脉冲及重复脉冲测试。

  测试电压电流范围广,电流0.1~200A,电压至5000V。

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