热门关键词：晶体管测试仪 晶体管图示仪 碳化硅器件测试仪 SiC器件测试仪 双脉冲测试仪 电压耐量测试设备 门极绝缘栅单元触发器实验仪
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SiC雪崩能力测试仪
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参数
SiC雪崩能力测试仪
用于二极管、三极管、MOS管及IGBT等器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流可达到200A，雪崩电压测试可达到5000V。设备满足电压在5000V及以下范围内二极管、三极管、MOS管及IGBT等器件的测试需求。计算机系统控制，具有波形显示功能。
雪崩电压：50～5000V
50～1500V±3%±2V
1500～3000V±3%±5V
3000～5000V±3%±10V
雪崩电流：0.1～200A
0.1～1A±3%±0.01A
1～10A±3%±0.1A
10～200A±3%±1A
脉冲宽度：1～500Us
雪崩能量：1mJ～10J
测试模式：单脉冲及重复脉冲测试。
测试电压电流范围广，电流0.1～200A，电压至5000V。
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SiC 功率器件动态参数测试系统
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