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分立器件动态参数测试仪

分立器件动态参数测试仪本测试系统具有高测试精度、高灵敏度、高可靠性、高安全性的特点,实现碳化硅二极管、MOSFET器件开通时间、关断时间、快恢复二极管反向恢复时间、反向电流及反向恢复电荷等测试,通过计算机控制,示波器采集波形,由计算机处理数据并显示测试结果,
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      分立器件动态参数测试仪本测试系统具有高测试精度、高灵敏度、高可靠性、高安全性的特点,实现碳化硅二极管、MOSFET器件开通时间、关断时间、快恢复二极管反向恢复时间、反向电流及反向恢复电荷等测试,通过计算机控制,示波器采集波形,由计算机处理数据并显示测试结果,

分立器件动态参数测试仪主要技术参数:

测试产品:SiC FRD,MOSFET(兼容Si基产品)

测试能力:

a、开关时间测试

测试条件:ID:1A~1000A,VDS:5V~3500V,VGS:-10V~20V,Rg:手动可调,阻性,感性负载可切换

测试参数:td(on)\tr\td(off)\tf:0.1nS-200nS,Eon\Eoff:10uJ~100mJ

b、反向恢复特性测试

测试条件:IF:1A~1000A,VR:5V~3500V,di\dt:50A/us~10000A/us

测试参数:trr:0.1nS-200nS,Qc:1nC~1uC,lrm:1A~200A,Erec:0.1uJ~1mJ

c、短路电流测试

测试条件:Pulse width:1uS~100us,VDS:5V~3500V

测试参数:Peak ID:10A~1000A,Delta Vds:10V~200V

关键词:
分立器件动态参数测试仪
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