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SiC 功率器件动态参数测试系统

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产品描述
参数
1.测试产品:Sic FRD,MOSFET(兼容Si基产品)
2. 测试能力:
2.1. 开关时间测试 
测试条件: ID:1A~200A, VDS:5V~3500V, VGS:-10V~20V, Rg:手动可调,
         阻性,感性负载可切换。
测试参数:  td(on)\ tr\ td(off)\tf:0.1nS -200nS, Eon\Eoff:10uJ~100mJ
2.2. 反向恢复特性测试
测试条件:IF:1A~200A , VR:5V~3500V, di/dt:50A/us~10000A/us             
测试参数: trr:0.1nS -200nS,Qc:1nC~100uC, Irm:1A~200A , Erec:0.1uJ~1mJ
2.3. 栅极电荷测试
测试条件: VDS:5V~3500V,ID:1A~200A, VGS:-10V~20V
测试参数: Qgon、Qgd、Qgs:1nC~100uC,Vpl:-10V~20V
2.4. 短路电流测试
测试条件:Pulse width:1us~100us, VDS:5V~3500V
测试参数: Peak ID:10A~1000A, Delta Vds:10V~200V
3.控制界面
上位机使用Labview界面开发,该程序体现为人机交互界面,作为测试平台的交互系统,通过与示波器、主控板等设备通讯,实现对设备的自动远程操作并指示示波器进行数据采集、在界面上复现示波器的测试波形、并对测试波形进行分析、计算,最终得到结果进行显示和存储。
关键词:
{商品名称}
{商品分类名称}
功率器件测试设备
浪涌测试台
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