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  • 陕西开尔文测控技术有限公司主营:雪崩测试仪、CNAS测试服务、晶体管测试仪、三极管测试仪、IGBT功率循环试验系统。产品性价比高、可测器件种类多且参数齐全、测试精度高、速度快、保护性强、故障率低、软件丰富。
  • 购买CNAS测试服务、三极管测试仪、雪崩测试仪、晶体管测试仪以及IGBT功率循环试验系统可以来陕西开尔文测控技术有限公司。
  • 陕西开尔文测控技术有限公司是国内自主研发高端大功率新型半导体器件测试系统及测试技术服务的国家级高新企业单位,包括雪崩测试仪、CNAS测试服务、晶体管测试仪、三极管测试仪、IGBT功率循环试验系统等。
  • 陕西开尔文测控技术融合国际、创造、报效祖国,以振兴民族半导体产业为己任,提供半导体测试产品,实现客户和自身价值的提升。主营:雪崩测试仪、CNAS测试服务、晶体管测试仪、三极管测试仪、IGBT功率循环试验系统。
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开尔文产品

KELVIN PRODUCTS  

陕西开尔文测控技术有限公司
全部分类
陕西开尔文测控技术有限公司

服务热线

致力于高端大功率新型半导体器件测试系统

及测试技术服务

IGBT功率循环试验系统
IGBT功率循环试验系统适用范围:适用于各种封装的IGBT模块、SiC模块、二极管模块等进行PCsec、PCmin、K Factor、Rth/Zth、SOA、瞬态热阻曲线试验
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二极管测试仪
二极管测试仪采用32位嵌入式计算机,运行速度快,扩展能力强,实现脱机运行 二极管测试仪采用高速16位并行D/A、A/D和专用并行内部总线技术设计,速度快、稳定性高 二极管测试仪采用脉冲法测试参数、脉宽可为300uS,占空比可达1/3000以上 二极管测试仪采用多级开尔文技术,系统稳定性高,测试结果准确,重复性好
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三极管测试仪
1.三极管测试仪设备功能 适用于传统硅基及 SiC 基二极管、三极管、MOSFET、J-FET、IGBT 单管及模块、整流桥、可控硅、光耦、PIM 及 IPM 模块等十九大类半导体分立器件全静态参数测试。
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晶体管测试仪
晶体管测试仪设备功能 适用于传统硅基及SiC二极管、三极管、MOSFET、J-FET、IGBT单管及模块、整流桥、可控硅、光耦、PIM及IPM模块等十九大类半导体分立器件全静态参数测试
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雪崩测试仪(电压耐量测试设备)
 一、 雪崩测试仪概述   用于二极管、三极管、MOS管及IGBT等器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流可达到200A,雪崩电压测试可达到5000V。设备满足电压在5000V及以下范围内二极管、三极管、MOS管及IGBT等器件的测试需求。计算机系统控制,具有波形显示功能。
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MOS管测试仪
MOS管测试仪设备功能 适用于传统硅基及SiC二极管、三极管、MOSFET、J-FET、IGBT单管及模块、整流桥、可控硅、光耦、PIM及IPM模块等十九大类半导体分立器件全静态参数测试
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IGBT静态参数测试系统
 1、IGBT静态参数测试系统运行条件   温度:25±5℃   相对湿度:<60%,在或低于30℃   通风条件:设备四面距离墙面大于5cm   交流电源:220V±10%,47-63Hz,良好的测试仪器接地   2、IGBT静态参数测试系统可测试器件种类及参数   ①二极管:DIODE   测试参数:IR、BVR、VF   ②晶体管:TRANSISTOR(NPN 型、PNP型)
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分立器件测试仪
分立器件测试仪主要技术参数 分立器件测试仪系统主要技术参数列表如下: 主极电压 2000V(加选件可扩展至3300V)
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分立器件动态参数测试仪
分立器件动态参数测试仪本测试系统具有高测试精度、高灵敏度、高可靠性、高安全性的特点,实现碳化硅二极管、MOSFET器件开通时间、关断时间、快恢复二极管反向恢复时间、反向电流及反向恢复电荷等测试,通过计算机控制,示波器采集波形,由计算机处理数据并显示测试结果,
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为什么选择开尔文产品?

WHY CHOOSE KELVIN PRODUCTS?

专业实力

PROFESSIONAL STRENGTH

拥有现代化车间和专业生产设备,产品畅销海内外,综合实力强,为国内半导体测控行业龙头企业

陕西开尔文测控技术有限公司
陕西开尔文测控技术有限公司

研发团队

R & D TEAM

研发团队—研发人员20人,坚持科技创新,努力打造拥有自主知识产权的产品,解决了很多参数瓶颈,以科技智造未来

技术优势

TECHNICAL ADVANTAGES

汇集了一支经验丰富的研发,生产和管理团队,精选材料,严控品质,坚持走产品专业化,生产规模化,检测标准化的科学管理模式,严谨的工艺标准造就可靠的产品,产品优势秉持薄利多销,长期合作的经营理念,严控各项成本,减少销售环节,以更优惠的产品回馈新老客户,性价比高

 

陕西开尔文测控技术有限公司
陕西开尔文测控技术有限公司

人工智能

ARTIFICIAL INTELLIGENCE

采用机械臂可代替多个工人手工入料,解决了人工成本高的问题

应用广泛

WIDELY USED

公司生产的产品广泛应用于国内各大院校、航空、航天、军工、船舶、铁路、电子行业等,尤其在电力电子、电动汽车、轨道交通领域的动车车组和运用大功率半导体器件设计、制造等行业,品质出众,值得信赖

陕西开尔文测控技术有限公司

实验室

依托CASA(第三代半导体产业联盟) ,联合西安电子科技大学,中科院微电子所等高校研究院所,成立新型半导体器件研究实验室,致力于中国第三代新型( SiC GaN石墨烯)器件测试、可靠性实验、材料分析等服务,同时兼顾现有Si基产品相关实验。目前,公司已通过CNAS实验室认证。

陕西开尔文测控技术有限公司

国内外同类产品综合性能对比

COMPREHENSIVE PERFORMANCE COMPARISON

开尔文产品

进口高档产品

国内其他产品

系统技术水平
2000年代
2000年代
80年代
嵌入式结构
具备
具备
-
脱机运行能力
具备
具备
-
可测器件种类
12/19大类
18大类
6-7大类
可测电参数
部分
标称电压范围
1KV/2KV/3.5KV,1%
1KV/2KV/5KV,1%
600V/2KV,实际最大1.65KV
电压测试分辨率
1mV,1%测试精度
1mV,1%测试精度
1mV,实际不足
电流分辨率
最小1pA
最小1pA
-
最小电流测试挡位
10pA
10pA
1uA
平均单参数测试时间
5ms
5ms
>20ms
DUT接触判别
具备
具备
-
系统和DUT测试保护
具备
具备
-
DUT分析编程能力
具备
具备
-
中测结果绘图
具备
部分厂家具备
-
在线测试参数显示
具备
部分厂家具备
-
在线故障显示
具备
部分厂家具备
-
参数分类/器件分档
具备
具备
-
DUT自动极性判别
具备
具备
-
百次测试一致性
1 %
1 %
-
新器件程序开发用时
2-5分钟
5分钟
-
自检故障定位时间
15分钟
15分钟
数小时
自检故障定位部位
元器件级
元器件级/模块级
板级/模块级
平均故障维修率
< 1次/年
< 2次/年
-
交流电源
200V-240VAC
200V-240VAC
-
接地要求
外型结构、尺寸
台式,较小
台式,较小
台式1,柜式3
操作方便性
台式较方便
台式较方便
柜式较差
带机械手/探针台
具备
具备
1家具备
扩展更新能力

关于开尔文

ABOUT KELVIN

为您创造更多的高性价比产品
为您提供更优质的技术服务

陕西开尔文测控技术有限公司成立于2012年,位于西安市高新区新型工业园发展大道26号,是国内自主研发高端大功率新型半导体器件测试系统及CNAS测试技术服务的国家级高新企业单位,致力于新型器件(SiC, GaN,石墨烯等)材料分析、元器件检测、可靠性评测、系统功能验证等服务。目前,测试系统及测试技术服务以深入国内大专院校、航天、航空、兵器、中船、电子行业等,尤其是电力设备、电动汽车、轨道交通领域的动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造等行业,得到了广泛的应用,以产品性价比高、可测器件种类多且参数齐全、测试精度高、速度快、保护性强、故障率低、软件丰富、操作使用方便、售后服务及时周到。同时还承担着同类进口产品的售后维修服务。
公司自成立以来,以我们的技术强项和高端产品的实力,获得了7项软件著作权登记证书、13项实用新型专利、4个发明专利,通过了陕西省民营科技企业认证、西安市民营科技企业认证、获得了技术贸易资格认证、通过了ISO14001环境管理体系认证、OHSAS18001职业健康安全管理体系认证、ISO9001质量管理体系认证,欧盟CE认证、两化融合管理体系认证,通过了陕西省高新企业认证,并在2016年,以《高速特大功率半导体器件IGBT测试系统》列入陕西省科技厅战略性新兴产业重大产品项目,项目编号2016KTCQ01-31。

公司主营:碳化硅器件测试仪、分立器件动态参数测试仪、电压耐量测试设备、分立器件综合参数测试仪、特大功率IGBT测试系统、分立器件测试仪、分立器件动态参数测试系统、分立器件静态参数测试系统、浪涌测试仪、IGBT测试仪、IGBT静态参数测试系统、半导体分立器件测试系统、MOS管测试仪、雪崩测试仪、光耦测试仪、CNAS测试服务、晶体管测试仪、三极管测试仪、二极管测试仪、少子寿命测试仪、IGBT功率循环试验系统等。

陕西开尔文测控技术有限公司

我们的典型客户

OUR CUSTOMERS    

 

 

   

我们的行业应用

OUR INDUSTRY APPLICATIONS

我们的服务

OUR SERVICE

陕西开尔文测控技术有限公司

售前

免费技术咨询,免费试用样机

陕西开尔文测控技术有限公司

售中

现场调试安装培训

陕西开尔文测控技术有限公司

售后

对产品实行终身服务,定期回访

新闻资讯

NEWS CENTER

06

2022 -12

SiC(碳化硅)是一种由硅(Si)和碳(C)构成的化合物半导体材料。SiC的优点不仅在于其绝缘击穿场强(Breakdown Field)是Si的10倍,带隙(Energy Gap)的Si的3倍,而且在器件制造时可以在较宽的范围内实现必要的P型、N型控制,所以被认为是一种超越Si极限的用于制造功率器件的材料。

28

2022 -11

IGBT静态参数测试系统具有节能、安装维护方便、散热稳定的特点。目前市场上的模块化产品通常称为IGBT模块;IGBT是能量转换和传输的核心器件,俗称电子器件的“CPU”。先进技术广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车和新能源设备。IGBT静态参数测试系统的故障原因是什么?如何修复?

14

2022 -11

特大功率IGBT测试系统:IGBT测试系统难点是什么? IGBT是用于功率变换和频率变换的功率半导体器件,相当于电力电子领域的“CPU”。BJT和MOSFET的性能优势具有高电阻、大电流、低导通损耗的特点,随着工艺的升级,芯片面积、宽工艺线、功耗、周转时间、开关功耗都在下降。其主要应用包括传统的工业控制和家电,以及新兴的电动汽车和新能源发电,那么特大功率IGBT测试系统:IGBT测试系统难

28

2022 -10

特大功率IGBT测试系统:IGBT静态输出波形测试注意事项是什么? 中国电气电子工业网消息:具有保护功能的驱动器和驱动程序。如果用户想测试正常的静态(非主电)输出波形,那么特大功率IGBT测试系统:IGBT静态输出波形测试注意事项是什么?

20

2022 -10

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),又称为绝缘闸极双极性电晶体。 IGBT归类在功率半导体元件的电晶体领域。 功率半导体元件(电晶体领域)除了IGBT之外,还有MOSFET、BIPOLAR等,这些都能用来作为半导体开关。

 

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