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半导体分立器件静态测试系统
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半导体分立器件静态测试系统

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产品描述
参数

可测试器件种类及参数

二极管:DIODE

   测试参数:IRBVRVF

晶体管:TRANSISTOR(NPN 型、PNP)

   测试参数:ICBOICEOIEBOBVCEOBVCBOBVEBOhFEVCESATVBESATVBE(VBEON)

稳压(纳)二极管:ZENER

   测试参数:IRVZ MINVZ MAXVF

结型场效应管:J-FET(N-/P-沟,耗尽型/增强型)

   测试参数:IGSSIDOFFIDGOBVDGOBVGSSVDSONVGSONIDSSIDSONRDSONgFS

MOS 场效应管:POWER MOSFET(N-沟/P-沟)

测试参数:IDSSIGSSFIGSSRBVDSSVGSTHVDSON,VFIDONVGSONRDSONgFS

三端稳压器:REGULATOR(正电压/负电压,固定/可变)

测试参数:VOUTIIN

光电耦合器:OPTO-COUPLER(NPN PNP 型)

测试参数:ICOFFICBOIRBVCEOBVECOBVCBOBVEBOCTRVCESATVSATVF

可控硅整流器(普通晶闸管)SCR

测试参数:IDRMIRRMIGKOVDRMVRRMBVGKOVTMI GTVGTILIH

双向可控硅(双向晶闸管)TRIAC

测试参数:IDRM IRRMIGKOVD+VD-BVGKOVT+VT-I GT1/2/3/4VGT

1/2/3/4IL+IL-IH+IH-

绝缘栅双极大功率晶体管:IGBT(NPN PNP 型)

测试参数:ICESIGESFIGESRBVCESVGETHVCESATVF

继电器:RELAY

测试参数:RCOIL,VOPER,VRELRCONTOPTIMERELTIME(需加继电器适配器)

压变电阻:VARISTOR

测试参数:ID+ ID-VC+ VC-

达林顿阵列:DARLINTON

测式参数:ICBOICEOIEBOBVCEOBVCBOBVEBOhFEVCESATVBESATVBE(VBEON)

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