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分立器件动态参数测试仪

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分立器件动态参数测试仪

分立器件动态参数测试仪本测试系统具有高测试精度、高灵敏度、高可靠性、高安全性的特点，实现碳化硅二极管、MOSFET器件开通时间、关断时间、快恢复二极管反向恢复时间、反向电流及反向恢复电荷等测试，通过计算机控制，示波器采集波形，由计算机处理数据并显示测试结果，

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分立器件动态参数测试仪本测试系统具有高测试精度、高灵敏度、高可靠性、高安全性的特点，实现碳化硅二极管、MOSFET器件开通时间、关断时间、快恢复二极管反向恢复时间、反向电流及反向恢复电荷等测试，通过计算机控制，示波器采集波形，由计算机处理数据并显示测试结果，

分立器件动态参数测试仪主要技术参数：

测试产品:SiC FRD,MOSFET（兼容Si基产品）

测试能力：

a、开关时间测试

测试条件：ID：1A~1000A，VDS：5V~3500V，VGS：-10V~20V，Rg：手动可调，阻性，感性负载可切换

测试参数：td（on）\tr\td（off）\tf：0.1nS-200nS，Eon\Eoff：10uJ~100mJ

b、反向恢复特性测试

测试条件：IF：1A~1000A，VR：5V~3500V，di\dt：50A/us~10000A/us

测试参数：trr：0.1nS-200nS，Qc：1nC~1uC，lrm：1A~200A，Erec：0.1uJ~1mJ

c、短路电流测试

测试条件：Pulse width：1uS~100us，VDS：5V~3500V

测试参数：Peak ID：10A~1000A，Delta Vds：10V~200V

关键词:

分立器件动态参数测试仪

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