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双脉冲测试比较

双脉冲测试仪高边(HS)MOSFET则通过RG_EXT连接栅极引脚和源极引脚或驱动器源极引脚,并且仅用于体二极管的换流工作。在电路图中,实线是连接到源极引脚的示意图,虚线是连接到驱动器源极引脚的示意图。我们来分别比较导通时和关断时的漏-源电压VDS和漏极电流ID的波形以及开关损耗。测试中使用的是最大额定值(VDSS的波形以及开关损耗。测试中使用的是最大额定值(RDS(on))为 40mΩ的SiC MOSFET。TO




双脉冲测试仪

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