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热门关键词：晶体管测试仪  晶体管图示仪  碳化硅器件测试仪  SiC器件测试仪  双脉冲测试仪  电压耐量测试设备  门极绝缘栅单元触发器实验仪

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如何评估半导体分立器件测试系统的精度

半导体分立器件测试系统我们已经获取了关于半导体分立器件测试系统精度评估的多个方面信息： ‌精度评估方法‌： 脉冲测试法和Kelvin四线法是常用的高精度测试方法 测试系统通常具备0.1%+2LSB的基础精度 ‌精度指标‌： 电压分辨率达1mV，电流分辨率最低至0.1nA 测试速度可达单参数0.5ms ‌影响因素‌： 温度稳定性、电磁干扰、接触电阻等 测试环境(温湿度)和样品状态会影响测试精度 ‌行业标准‌

2025/07/23

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2025/07

如何选择适合的半导体分立器件测试系统

半导体分立器件测试系统以下是选择半导体分立器件测试系统的关键考量因素及建议：一、核心参数匹配度电压/电流范围需覆盖被测器件极限参数（如IGBT测试需≥3300V，SiC器件需10kV高压能力）‌ 电流分辨率应达nA级（如漏电流测试需1pA精度）‌

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2025/07

双脉冲测试测试方法

双脉冲测试（Double Pulse Test, DPT）是一种用于评估功率半导体器件（如IGBT、MOSFET、SiC/GaN器件）动态特性的关键实验方法，通过施加两个连续脉冲模拟开关瞬态行为，主要应用于电力电子领域。以下是其核心内容：

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2025/07

双脉冲测试仪功率器件动态特性的测量方

双脉冲测试仪（Double Pulse Tester）通过施加两个连续可调的脉冲信号，精确测量IGBT、MOSFET等功率半导体器件在： 开关特性（开通/关断时间）

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2025/07

平均功率与峰值功率的区别是什么

西安功率基础知识 功率有几种类型（參考图 1)，包括瞬时功率、平均功率、包络功率和峰值功率等。在详细了解每一种功率之前，我们首先来了解一下功率的基础知识。 图 1 功率类型功率是能量传输的速率，测量单位为瓦（W）。一瓦等于一秒钟内传输的一焦耳能量。 在直流（DC）中，功率是电压和电流的乘积。在交流（AC）中也是如此，但是对于交流而言，电压和电流的变化会导致瞬时功率发生变化。 信号发生器的输出功率是指输出的平均功率

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2025/07

IGBT的工作原理和退饱和

1、IGBT测试仪IGBT的工作原理和退饱和 1.1 IGBT 和 MOSFET结构比较 为了理解IGBT进入退饱和的过程机理，我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别： 简单来看，IGBT在MOSFET的基本结构上增加了一个P+层提供空穴载流子，这样可以和漏极N+区域的电子在基区N-进行电导调制，从而降低IGBT在大电流条件下的导通压降。IGBT通过其FET结构控制在基区的载流子（电子和空穴），从而控制IGBT的导通和关断。

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