IGBT测试仪IGBT模块选型时比较关键的特性有栅极-发射级门槛电压Vce(th)、栅极-发射极漏电流Ices、开通时间ton、开通延迟时间td(on)、上升时间tr、关断耗散功率Poff、关断耗散能量Eoff、关断时间toff、关断延迟时间td(off)、下降时间tf、结-壳热阻Rthjc和结-壳瞬态热抗阻Zthjc。测量出这些参数，就能详细的推导出IGBT模块的动态特性和静态特性。下面我们就来介绍IGBT模块特性的测量方法和电路原理。

发射极门槛电压(Vce(th))的测量和电路原理

在规定条件下(环境或管壳温度、集电极-发射极电压、集电极电流)，测量IGBT模块的栅极-发射极门槛电压。

测量方法:将IGBT模块插入测量插座,增加栅极发射极电压Vce直到达到规定的集电极电流TC，测量该电流下的栅极-发射极电压。

发射极漏电流IGES的测量方法和基本电路 在规定条件下(环境或管壳温度、集电极-发射极电压)，测量 栅极-发射极漏电流。测量基本电路图如下： 测量方法:连接集电极电极和发射极的端子。电阻R的值控制在Vce/(100.Icesmax)。跨接在R两端的电压测量仪应具有较高的灵敏度。而且输入电阻大于100R，栅极-发射极漏电流为Ices=V/R，测量可用正的或负的栅极-发射极电压。 将栅极-发射极电压设置在规定值，测量电压V并用Ices=V/R计算栅极-发射极漏电流值。 3.关断耗散功率Poff和关断耗散能量Eoff的测量和基本电路 在规定条件下(环境或管壳温度、集电极-发射极供电电压Vcce、负载电感L、栅极电阻R，输入脉冲形状：幅度、上升时间、宽度、脉冲重复率、积分时间t1),测量IGBT模块的关断耗散功率Poff和关断耗散能量Eoff。测量基本电路如下 在实际布线时，寄生电感应最小。G是具有低内阻的矩形波发生器。发生器输出脉冲的上升时间应小于0.1XR1XCice。Cice是被测IGBT模块的输入电容。R2是测量电流的电阻，这里可以采用其它任何适当的电流探针。 测量方法:输入脉冲幅度VGGM和供电电压VCCE设置在规定值。在示波器屏上显示集电极电流IC和集电极-发射极电压VCE的波形，每个脉冲关断耗散能量是这两个数值之积对时间的积分。任一重复频率的关断耗散功率是该频率和积分测定的每个脉冲关断耗散能量之积。