IGBT管的使用注意事项

发布时间：

2017-03-24

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　 IGBT管的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离由于此氧化膜很薄，IGBT管的UGE 的耐压值为 20V,在IGBT管加超出耐压值的电压时，会导致损坏的危险此外，在栅极发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT管发热乃至损坏在应用中，有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压，如果栅极回路不合适或者栅极回路完全不能工作时（栅极处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT管就会损坏为防止这类损坏情况发生，应在栅极一发射极之间接一只10千欧左右的电阻。此外，由于IGBT管为MOS结构，对于静电就要十分注意因此，请注意下面几点：

　　（1）在使用模块时，手持分装件时，请勿触摸驱动端子部分当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电放电后，再触摸；

　　（2）在用导电材料连接IGBT管的驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；

　　（3）尽量在底板良好接地的情况下操作如焊接时，电烙铁要可靠接地在安装或更换IGBT管时，应十分重视IGBT管与散热片的接触面状态和拧紧程度，为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT管间涂抹导热硅脂，一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT管发热，从而发生故障，因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT管的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT管工作。

　　igbt静态参数测试系统

　　可测试IGBT参数包括ICES、BVCES、IGESF、VGETH、VGEON、VCESAT、ICON、VF、

　　GFS、rCE等全直流参数，所有小电流指标保证1%重复测试精度，大电流指标保证2%以内重复测试精度。

　　主极电流可提供400A 500A 800A 1250A大电流测试选项

　　BR3500测试系统是一项高速多用途半导体分立器件智能测试系统。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力。可真实准确测试达十九大类二十七分类大、中、小功率的半导体分立器件。

　　一、可测试种类

　　1.二极管 Diode

　　2.稳压（齐纳）二极管 Zener

　　3.晶体管 Transistor（NPN型/PNP型）

　　4.可控硅整流器（普通晶闸管） SCR

　　5.双向可控硅（双向晶闸管） TRIAC

　　6.MOS场效应管 Power MOSFET（N-沟/P-沟）