为什么叫IGBT

IGBT是目前功率器件里技术最先进成熟的产品，已经全面取代了传统的Power MOSFET，其应用非常广泛，小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业，被称为电力电子行业里的CPU。

                    全球IGBT市场竞争格局

IGBT的功能其实很简单，就是一个电路开关，与晶体管相比，就是电压电流超大而已。电子产品中，能用数字信号控制的强电开关有很多种，IGBT之所以能够从众多的原因在于，在它这个电流电压等级下，它支持的开关速度是最快的，一秒可以开关几万次。GTO开关速度低，损耗大；IGCT本质上是GTO，在结构上做了优化，开关速度和最大电压电流都介于GTO和IGBT之间；大功率MOSFET速度快，但电压电流都很小。简单讲，IGBT是一个非通即断的开关。IGBT融合了BJT和MOSFET两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低。

 那么，IGBT的名称是从何而来的呢？实际上，IGBT一开始并不叫IGBT。IGBT（绝缘栅双极型晶体管）发明于上世纪80年代初，多家公司几乎同时并独立地发明了这种器件，刚开始各公司对这种器件的称谓并不一致。

GE公司刚开始称其为IGR（insulated-Gate Rectifer），其论文于1982年12月14日在IEDM（国际电子器件会议）上发表。

RCA公司称其为COMFET（Conductivity-Modulated FET）并在同一天得到美国专利局的专利批准，接着想IEDM提交了正式论文。

Motorola公司也独立发明了该器件，称GEMFET（Gain-Enhanced MOSFET）。

加州伯克利分校发明了类似器件，称为BMT（Bipolar MOS Transistor）及IBT（Insulate-Base Transistor）。

GE公司后来将他们的发明从整流器改称IGT（Insulate-Gate Transistor）。

IGBT的命名最终源自于德国西门子，西门子公司给这种新器件命名IGBT（Insulate-Gate Bipolar Transistor），由于西门子的IGBT发展迅猛，研究生产的IGBT性能突出，，最终IGBT的命名得到市场的广泛认同，得以确定。

历经三十余年，虽然IGBT技术已经多次更新，但是给IGBT命名的光荣也始终属于西门子。直至今日，由西门子半导体部门更名而成的英飞凌科技公司仍是行业标杆。在技术领域，唯有绝对的优势才能占领市场的领先位置。