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场效应管测试仪

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产品描述
参数

1、设备功能

适用于传统硅基及SiC二极管、三极管、MOSFET、J-FET、IGBT单管及模块、整流桥、可控硅、光耦、PIM及IPM模块等十九大类半导体分立器件全静态参数测试。

2、运行条件

温度:25±5℃

相对湿度:<60%,在/或低于30℃

通风条件:设备四面距离墙面大于5cm

交流电源:220V±10%,47-63Hz,良好的测试仪器接地

3、外形尺寸

尺寸(mm):800(宽)×600(长)×1930(高)

4、可测器件种类

①二极管:DIODE

   测试参数:IR、BVR、VF

②晶体管:TRANSISTOR(NPN 型、PNP型)

   测试参数:ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)

③稳压(纳)二极管:ZENER

   测试参数:IR、VZ MIN、VZ MAX、VF

④结型场效应管:J-FET(N-沟/P-沟,耗尽型/增强型)

   测试参数:IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS、IDSON、RDSON、gFS

⑤MOS 场效应管:POWER MOSFET(N-沟/P-沟)

测试参数:IDSS、IGSSF、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON,VF、IDON、VGSON、RDSON、gFS

⑥三端稳压器:REGULATOR(正电压/负电压,固定/可变)

测试参数:VOUT、IIN

⑦光电耦合器:OPTO-COUPLER(NPN 型PNP 型)

测试参数:ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF

⑧可控硅整流器(普通晶闸管)SCR

测试参数:IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、I GT、VGT、IL、IH

⑨双向可控硅(双向晶闸管)TRIAC

测试参数:IDRM IRRM、IGKO、VD+、VD-、BVGKO、VT+VT-、I GT1/2/3/4、VGT

1/2/3/4、IL+、IL-、IH+、IH-

⑩绝缘栅双极大功率晶体管:IGBT(NPN 型PNP 型)

测试参数:ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF

⑾继电器:RELAY

测试参数:RCOIL,VOPER,VREL、RCONT、OPTIME、RELTIME(需加继电器适配器)

⑿压变电阻:VARISTOR

测试参数:ID+ ID-、VC+ VC-

⒀达林顿阵列:DARLINTON

测式参数:ICBOICEOIEBOBVCEOBVCBOBVEBOhFEVCESATVBESAT、VBE(VBEON)

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