1、设备功能

适用于传统硅基及SiC二极管、三极管、MOSFET、J-FET、IGBT单管及模块、整流桥、可控硅、光耦、PIM及IPM模块等十九大类半导体分立器件全静态参数测试。

2、运行条件

温度：25±5℃

相对湿度：<60%，在/或低于30℃

通风条件：设备四面距离墙面大于5cm

交流电源：220V±10%，47-63Hz，良好的测试仪器接地

3、外形尺寸

尺寸（mm）：800（宽）×600（长）×1930（高）

4、可测器件种类

①二极管：DIODE

   测试参数：IR、BVR、VF

②晶体管：TRANSISTOR(NPN 型、PNP型)

   测试参数：ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)

③稳压（纳）二极管：ZENER

   测试参数：IR、VZ MIN、VZ MAX、VF

④结型场效应管：J-FET(N-沟/P-沟，耗尽型/增强型)

   测试参数：IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS、IDSON、RDSON、gFS

⑤MOS 场效应管：POWER MOSFET(N-沟／P-沟）

测试参数：IDSS、IGSSF、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON,VF、IDON、VGSON、RDSON、gFS

⑥三端稳压器：REGULATOR(正电压／负电压，固定／可变）

测试参数：VOUT、IIN

⑦光电耦合器：OPTO-COUPLER(NPN 型PNP 型）

测试参数：ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF

⑧可控硅整流器（普通晶闸管）SCR

测试参数：IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、I GT、VGT、IL、IH

⑨双向可控硅（双向晶闸管）TRIAC

测试参数：IDRM IRRM、IGKO、VD+、VD-、BVGKO、VT+VT-、I GT1/2/3/4、VGT

1/2/3/4、IL+、IL-、IH+、IH-

⑩绝缘栅双极大功率晶体管：IGBT(NPN 型PNP 型）

测试参数：ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF

⑾继电器：RELAY

测试参数：RCOIL,VOPER,VREL、RCONT、OPTIME、RELTIME(需加继电器适配器）

⑿压变电阻：VARISTOR

测试参数：ID+ ID-、VC+ VC-

⒀达林顿阵列：DARLINTON

测式参数：ICBOICEOIEBOBVCEOBVCBOBVEBOhFEVCESATVBESAT、VBE(VBEON)