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SiC动态参数测试系统

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产品描述
参数

      适用于SiCFRD,MOSFET(兼容Si基产品)IGBT模块、 MOS(兼容Si基产品)等器件的时间参数测试,是目前国内动态参数测试功能最齐全、性能最先进的测试系统。

 测试能力:

IGBT开关时间测试 

测试条件: ID1A200A, VDS5V3500V, VGS-10V20V, Rg1R100R 可调(可选择4挡和外接)

负载:阻性,感性负载可切换。

电感范围:100uH200uH500uH1000uH

电阻范围:0.5R1R2R4R

测试参数

开通延迟td(on)20Ns – 10uS

关断延迟时间tdoff):20Ns – 10uS

上升时间tr20Ns – 10uS

下降时间tf20Ns – 10uS

开通能量Eon0.11000mJ

关断能量Eoff0.11000mJ

 

二极管反向恢复特性测试

测试条件:IF1A200A  

反向电流VR5V3500V

 di/dt100A/us10000A/us

负载:感性负载可选

电感范围:100uH200 uH500 uH1000 uH             

测试参数: trr0.1nS -200nS

Qc1nC~100uC

Irm1A~200A

Erec0.1uJ1mJ

 

栅极电荷测试

测试条件: VDS5V3500V

ID1A200A

VGS-10V20V

测试参数:

QgonQgdQgs1nC~100uC

Vpl-10V20V

 

短路电流测试

 

测试条件:Pulse width1us100us, VDS5V3500V

测试参数: Peak ID10A~1000A, Delta Vds10V~200V

 

控制界面:上位机使用Labview界面开发,该程序体现为人机交互界面,作为测试平台的交互系统,通过与示波器、主控板等设备通讯,实现对设备的自动远程操作并指示示波器进行数据采集、在界面上复现示波器的测试波形、并对测试波形进行分析、计算,最终得到结果进行显示和存储。

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