适用于SiCFRD,MOSFET(兼容Si基产品)、IGBT模块、 MOS管(兼容Si基产品)等器件的时间参数测试，是目前国内动态参数测试功能最齐全、性能最先进的测试系统。

 测试能力：

IGBT开关时间测试 

测试条件： ID：1A～200A, VDS：5V～3500V, VGS：-10V～20V, Rg：1R～100R 可调(可选择4挡和外接)

负载：阻性，感性负载可切换。

电感范围：100uH，200uH，500uH，1000uH

电阻范围：0.5R、1R、2R、4R

测试参数: 

开通延迟td(on)：20Ns – 10uS

关断延迟时间td（off）：20Ns – 10uS、

上升时间tr：20Ns – 10uS

下降时间tf：20Ns – 10uS

开通能量Eon：0.1～1000mJ

关断能量Eoff：0.1～1000mJ

二极管反向恢复特性测试

测试条件：IF：1A～200A  

反向电流VR：5V～3500V

 di/dt：100A/us～10000A/us

负载：感性负载可选

电感范围：100uH、200 uH、500 uH、1000 uH             

测试参数: trr：0.1nS -200nS

Qc：1nC~100uC

Irm：1A~200A

Erec：0.1uJ～1mJ

栅极电荷测试

测试条件： VDS：5V～3500V

ID：1A～200A

VGS：-10V～20V

测试参数：

Qgon、Qgd、Qgs：1nC~100uC

Vpl：-10V～20V

短路电流测试

测试条件：Pulse width：1us～100us, VDS：5V～3500V

测试参数： Peak ID：10A~1000A, Delta Vds：10V~200V

控制界面：上位机使用Labview界面开发，该程序体现为人机交互界面，作为测试平台的交互系统，通过与示波器、主控板等设备通讯，实现对设备的自动远程操作并指示示波器进行数据采集、在界面上复现示波器的测试波形、并对测试波形进行分析、计算，最终得到结果进行显示和存储。