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碳化硅器件动态参数测试台

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产品描述
参数

适用碳化硅二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数测试。

主要技术参数:

IGBT 开关特性测试                                                                   

开关时间测试条件

IC:1A~1000A      Vce:5V~3500V(可扩展)

Vgs:-10V~+20V Rg:1R~100R可调(可选择4档及外接)

负载:感性负载阻性负载可切换

电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH

电阻范围:0.5R1R2R4R

IGBT 开关特性测试参数

开通延迟td(on):20nS-10uS

上升时间tr:20nS-10uS

开通能量Eon:0.1-1000mJ                                                     

关断延迟时间td(off):20 nS-10uS

下降时间tf:20nS-10uS

关断能量Eoff:0.1-1000mJ

二极管反向恢复特性测试

FRD测试条件:

正向电流IF:1A~1000A

反向电压Vr:5V~3500V

di/dt:100A/

us~10000A/us;

负载:感性负载可选

电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH

FRD 测试参数

反向恢复时间trr:20nS-2uS;

反向恢复电荷QC:

10nC~10uC;

反向恢复电流Irm:1A~1000A

反向恢复损耗 Erec:0.1mJ~1000mJ

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