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功率器件分析仪

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产品描述
参数

1、设备功能

      适用于传统硅基及SiC二极管、三极管、MOSFET、J-FET、IGBT单管及模块、整流桥、可控硅、光耦、PIM及IPM模块等十九大类半导体分立器件全静态参数测试

2、运行条件

温度:25±5

相对湿度:<60%,在/或低于30℃

通风条件:设备四面距离墙面大于5cm

交流电源:220V±10%,47-63Hz,良好的测试仪器接地

3、外形尺寸

尺寸(mm):480(宽)530(长)*285(高)

未找到相应参数组,请于后台属性模板中添加

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陕西省西安市高新区工业园发展大道26号

029-89188495 13572125545(杜经理)

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