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分立器件动态测试系统

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产品描述

参数

适用碳化硅二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数测试。

主要技术参数：

IGBT开关特性测试

开关时间测试条件

Ic： 1A ~ 1000A Vce： 5V ~ 3500V (可扩展)

Vgs： -10V ~ + 20V Rg： 1R - 100R可调(可选择4档及外接) 负载：感性负载阻性负载可切换

电感范围：100uH, 200uH, 500uH, 1000uH

电阻范围：0.5R、1R、2R、4R

IGBT开关特性测试参数

开通延迟 td(on): 20nS -10uS

上升时间tr: 20nS-10uS

开通能量 Eon： 0.1-1000mJ 关断延迟时间td(off)： 20 nS -10uS 下降时间tf： 20nS-10uS

关断能量 Eoff： 0.1-1000mJ

二极管反向恢复特性测试

FRD测试条件：

正向电流IF： 1A ~ 1000A

反向电压Vr：5V~3500V

-di/dt：100A/us~10000A/us

负载：感性负载可选

电感范围：100uH，200uH，500uH，1000uH

FRD测试参数

反向恢复时间trr：0.1nS-100uS

反向恢复电荷Qc：10nC~10uC

反向恢复电流lrm：1A~1000A

反向恢复损耗Erec：10nJ-1000mJ

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