1、运行条件

　　温度：25±5℃

　　相对湿度：<60%，在或低于30℃

　　通风条件：设备四面距离墙面大于5cm

　　交流电源：220V±10%，47-63Hz，良好的测试仪器接地

　　2、可测试器件种类及参数

　　①二极管：DIODE

　　测试参数：IR、BVR、VF

　　②晶体管：TRANSISTOR(NPN 型、PNP型)

　　测试参数：ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)

　　③稳压(纳)二极管：ZENER

　　测试参数：IR、VZ MIN、VZ MAX、VF

　　④结型场效应管：J-FET(N-沟/P-沟，耗尽型/增强型)

　　测试参数：IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS、IDSON、RDSON、gFS

　　⑤MOS 场效应管：POWER MOSFET(N-沟/P-沟)

　　测试参数：IDSS、IGSSF、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON,VF、IDON、VGSON、RDSON、gFS

　　⑥三端稳压器：REGULATOR(正电压/负电压，固定/可变)

　　测试参数：VOUT、IIN

　　⑦光电耦合器：OPTO-COUPLER(NPN 型PNP 型)

　　测试参数：ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF

　　⑧可控硅整流器(普通晶闸管)SCR

　　测试参数：IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、I GT、VGT、IL、IH

　　⑨双向可控硅(双向晶闸管)TRIAC

　　测试参数：IDRM IRRM、IGKO、VD+、VD-、BVGKO、VT+VT-、I GT1/2/3/4、VGT

　　1/2/3/4、IL+、IL-、IH+、IH-

　　⑩绝缘栅双极大功率晶体管：IGBT(NPN 型PNP 型)

　　测试参数：ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF

　　⑾继电器：RELAY

　　测试参数：RCOIL,VOPER,VREL、RCONT、OPTIME、RELTIME(需加继电器适配器)

　　⑿压变电阻：VARISTOR

　　测试参数：ID+ ID-、VC+ VC-

　　⒀达林顿阵列：DARLINTON

　　测式参数：ICBOICEOIEBOBVCEOBVCBOBVEBOhFEVCESATVBESAT、VBE(VBEON)