1. MOS管测试仪设备功能

适用于传统硅基及SiC二极管、三极管、MOSFET、J-FET、IGBT单管及模块、整流桥、可控硅、光耦、PIM及IPM模块等十九大类半导体分立器件全静态参数测试

2. MOS管测试仪运行条件

温度：25±5℃

相对湿度：<60%，在或/低于30℃

通风条件：设备四面距离墙面大于5cm

交流电源：220V±10%，47-63Hz，良好的测试仪器接地

3. MOS管测试仪可测试器件种类及参数

1）、二极管：DIODE

测试参数：IR、BVR、VF

       2)、晶体管：TRANSISTOR(NPN型/PNP型)

           测试参数：ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)

       3)、稳压（齐纳）二极管：ZENER

           测试参数：IR、VZ、MIN、VZ MAX、VF

       4)、结型场效应管：J-FET(N-沟/P-沟，耗尽型/增强型)

           测试参数：IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS、IDSON、RDSON、gFs

       5）、MOS场效应管：POWER MOSFET(N-沟/P-沟)

           测试参数：IDSS、IGSSF、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON、VF、IDON、VGSON、RDSON、gFs

       6）、三端稳压器：REGULATOR（正电压/负电压，固定/可变）

           测试参数：VOUT、IIN

       7）、光电耦合器：OPTP-COUPLER（NPN型/PNP型）

          测试参数：ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF

      8)、可控硅整流器（普通晶闸管）：SCR

          测试参数：IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、I GT、VGT、IL、IH

      9)、双向可控硅（双向晶闸管）：TRIAC

          测试参数：IDRM、IRRM、IGKO、VD+、VD-、BVGKO、VT+、VT-、I GT 1/2/3/4、VGT 1/2/3/4、IL+、IL-、IH+、IH-

     10）、绝缘栅双极大功率晶体管：IGBT（NPN型/PNP型）

          测试参数：ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF

     11)、光电逻辑器件：OPTO-LOGIC

          测试参数：IR、VF、VOH、VOL、IFON、IFOFF、ITH+B、ITH-B、ITH+1、ITH-1

     12)、双向触发二极管：DIAC

          测试参数：IR、BVR、VF

     13)、固态过压保护器：SSOVP

          测试参数：ID+、ID-、VCLAMP+、VCLAMP-、VT+、VT-、IH+、IH-、IBO+、IBO-、VZ+、VZ-、VT+、VT-

     14)、光电开关管：OPTO-SWITCH

          测试参数：ICOFF、VD、Notch=IGT1、IGT4、VON=VSAT、ION=IGT1、IGT4、IOFF=IGT1、IGT4

     15)、硅触发开关：STS

          测试参数：IH+、IH-、VSW+、VSW-、VPK+、VPK-、VGSW+、VGSW-

     16)、继电器：RELAY

          测试参数：RCOIL、VOPER、VREL、RCONT、OPTIME、RETIME

     17）、金属氧化物压变电阻：MOV

          测试参数：ID+、ID-、VN+、VN-、VC+、VC-

     18)、压变电阻：VARISTOR

           测试参数：ID+、ID-、VC+、VC-

     19)、达林顿阵列：DARLINTON

          测试参数：ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)

4. 外形尺寸

尺寸（mm）：600（宽）×800（长）×1900（高）