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IGBT动态参数测试系统

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半导体分立器件动态测试系统是全智能高速测试系统，可用于1200V/1700V/3300V的IGBT模块开通时间、关断时间、快恢复二极

管反向恢复时间、反向电流及反向恢复电荷的测试，通过示波器采集波形，由计算机处理数据并显示测量结果。

通过配置不同的夹具单元，可实现对不同封装器件的测试。

技术性能指标

IGBT开关特性测试

开关时间测试条件

Ic:5A~1000A(可扩展）

Vce:10V~3500V(可扩展）

Vgs:-10V~+20V

Rg:1R~100R可调（可选择4档及外接）

负载：感性负载阻性负载可切换

电感范围：100uH,200uH,500uH,1000uH

电阻范围：0.5R、1R、2R、4R

IGBT开关特性测试参数

开通延迟td(on):20nS-10uS

上升时间tr:20nS-10uS

开通能量Eon:0.1-1000mJ

关断延迟时间td(off):20nS-10uS

下降时间tf:20nS-10uS

关断能量Eoff:0.1-1000mJ

二极管反向恢复特性测试

反向恢复时间trr:20nS-2uS

反向恢复电荷Qc:10nC-10uC

反向恢复电流lrm:5A~1000A

反向恢复损耗Erec：100nJ-10J

IGBT动态参数测试系统，功能可扩展，可根据用户要求定制

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