热门关键词:晶体管测试仪 晶体管图示仪 碳化硅器件测试仪 SiC器件测试仪 双脉冲测试仪 电压耐量测试设备 门极绝缘栅单元触发器实验仪
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IGBT动态参数测试系统
半导体分立器件动态测试系统是全智能高速测试系统,可用于1200V/1700V/3300V的IGBT模块开通时间、关断时间、快恢复二极
管反向恢复时间、反向电流及反向恢复电荷的测试,通过示波器采集波形,由计算机处理数据并显示测量结果。
通过配置不同的夹具单元,可实现对不同封装器件的测试。
技术性能指标
IGBT开关特性测试
开关时间测试条件
Ic:5A~1000A(可扩展)
Vce:10V~3500V(可扩展)
Vgs:-10V~+20V
Rg:1R~100R可调(可选择4档及外接)
负载:感性负载阻性负载可切换
电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH
电阻范围:0.5R、1R、2R、4R
IGBT开关特性测试参数
开通延迟td(on):20nS-10uS
上升时间tr:20nS-10uS
开通能量Eon:0.1-1000mJ
关断延迟时间td(off):20nS-10uS
下降时间tf:20nS-10uS
关断能量Eoff:0.1-1000mJ
二极管反向恢复特性测试
反向恢复时间trr:20nS-2uS
反向恢复电荷Qc:10nC-10uC
反向恢复电流lrm:5A~1000A
反向恢复损耗Erec:100nJ-10J
IGBT动态参数测试系统,功能可扩展,可根据用户要求定制
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