热门关键词:晶体管测试仪 晶体管图示仪 碳化硅器件测试仪 SiC器件测试仪 双脉冲测试仪 电压耐量测试设备 门极绝缘栅单元触发器实验仪
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碳化硅器件动态参数测试台
适用碳化硅二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数测试。
主要技术参数:
IGBT 开关特性测试
开关时间测试条件
IC:1A~1000A Vce:5V~3500V(可扩展)
Vgs:-10V~+20V Rg:1R~100R可调(可选择4档及外接)
负载:感性负载阻性负载可切换
电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH
电阻范围:0.5R、1R、2R、4R
IGBT 开关特性测试参数
开通延迟td(on):20nS-10uS
上升时间tr:20nS-10uS
开通能量Eon:0.1-1000mJ
关断延迟时间td(off):20 nS-10uS
下降时间tf:20nS-10uS
关断能量Eoff:0.1-1000mJ
二极管反向恢复特性测试
FRD测试条件:
正向电流IF:1A~1000A
反向电压Vr:5V~3500V
-di/dt:100A/
us~10000A/us;
负载:感性负载可选
电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH
FRD 测试参数
反向恢复时间trr:20nS-2uS;
反向恢复电荷QC:
10nC~10uC;
反向恢复电流Irm:1A~1000A
反向恢复损耗 Erec:0.1mJ~1000mJ
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