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晶体管测试仪

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晶体管测试仪

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产品描述

参数

主要技术参数

系统主要技术参数列表如下：

主极电压 2000V(加选件可扩展至3300V)

主极电流 50A(加选件可扩展到100A至2500A)

控制极电压 20V(加选件可扩展到80V)

控制极电流 10A(加选件可扩展到40A)

电压分辨率 1mV

电流分辨率 100pA(加选件可扩展到1pA)

测试速度 5ms/参数

3300V、2500A以上可订制

可测试器件种类

该系统是专为测试大功率半导体分立器件而设计。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，能够真实准确测试以下19个类型的半

导体器件以及相关器件组成的组合器件、器件阵列：

器件测试种类

二极管	DIODE
稳压（齐纳）二极管	ZENER
晶体管	TRANSISTOR(NPN/PNP)
单向可控硅（普通晶闸管）	SCR
双向可控硅（双向晶闸管）	TRIAC
金属－氧化物－半导体场效应管	MOSFET(N-CH/P-CH)
结型场效应管	JFET(N-CH/P-CH)
三端稳压器	REGULATOR(正电压／负电压，固定／可变）
绝缘栅双极大功率晶体管	IGBT(N-CH/P-CH)
光电耦合器	OPTO-COUPLER(NPN/PNP)
达林顿阵列器件	DARLINTON
光电开关管	OPTO-SWITCH
继电器	RELAY(A,B,C型）
金属氧化物压变电阻	MOV
压变电阻	VARISTOR
智能功率模块	IPM
集成功率模块	PIM