半导体器件雪崩测量及功率循环试验系统

功率循环对各种功率器件进行功率循环老化试验，模拟器件在不同功率工况下的退化情况，通过加热与冷却过程的控制，对封装、沟道或者内部键合丝进行热疲劳试验。功率循环试验系统适用范围：适用于各种封装的IGBT模块、SiC模块、二极管模块等进行PCsec、PCmin、K Factor、Rth/Zth、SOA、瞬态热阻曲线试验。 • 测试通道：12 • 最大测试电流 1800A • 最大电压 48V • 最大试验温度 200°℃ • 栅极控制电压 ±15V • 测试电流分辨率 10m

发布时间：

2025-04-30

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功率器件测试系统功率循环对各种功率器件进行功率循环老化试验，模拟器件在不同功率工况下的退化情况，通过加热与冷却过程的控制，对封装、沟道或者内部键合丝进行热疲劳试验。功率循环试验系统适用范围：适用于各种封装的IGBT模块、SiC模块、二极管模块等进行PCsec、PCmin、K Factor、Rth/Zth、SOA、瞬态热阻曲线试验。 • 测试通道：12 • 最大测试电流 1800A • 最大电压 48V • 最大试验温度 200°℃ • 栅极控制电压 ±15V • 测试电流分辨率 10m 雪崩特性是MOS 在关断状态下，能承受瞬时过压能力的指标，一般用单脉冲最大雪崩能力EAS表示。雪崩特性测试，又称单脉冲非钳位电感开关测试（Single Pulse Unclamped Inductive Switching），即UIS测试。 • 电源电压：20-3000V • 雪崩电流： 0.01A-200A • 电感：50uH~100mH • 电压波形：方波 • 脉冲宽度：100uS-800mS • 测试频率：单次/重复