IGBT封装形式

【概要描述】一是TO标准塑封模块结构，此结构较简单，成本也较低，主要是单芯片或一个IGBT何一个二极管等两种形式，但是这种封装形式的热循环寿命有限。

目前IGBT主要有以下几种封装形式：

一是TO标准塑封模块结构，此结构较简单，成本也较低，主要是单芯片或一个IGBT何一个二极管等

两种形式，但是这种封装形式的热循环寿命有限。

二是工业/汽车级标准功率模块结构，目前来看，只要功率超过几个千瓦以上，都会采用这种模块

封装的形式，其特点是散热好，功率循环和热循环寿命相对较好，且工艺相比其他形式更为成熟，

成本相对适中。

三是压接式IGBT，这种封装方式没有焊层、引线键合，它最大的特点是功率容量大，拥有更高的安

全工作区（SOA），且具有失效短路特性，适用于串联应用、可以承受较高电压，但是工艺较为复

杂，成本较高。

上一个: 碳化硅性能突出，是宽禁带半导体核心材料

下一个: 公司领导参加 “碳化硅器件与应用高级研修班”

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