IGBT静态参数测试系统具有节能、安装维护方便、散热稳定的特点。目前市场上的模块化产品通常称为IGBT模块；IGBT是能量转换和传输的核心器件，俗称电子器件的“CPU”。先进技术广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车和新能源设备。IGBT静态参数测试系统的故障原因是什么？如何修复？

　　1.过电流会破坏锁定效果。IGBT静态参数测试系统是一种带有寄生晶体管的复合器件。在规定的漏电流范围内，NPN的正偏压不足以引导NPN晶体管。NPN晶体管开路，NPN或PNP晶体管饱和。然后寄生晶体管导通，栅极失控，锁定效应出现。IGBT有锁定效果后，电极电流过大，导致技能过多，损坏设备。

　　2.长期过度跑步。IGBT静态参数测试系统长期过流运行是指IGBT运行指标达到或超过当前安全边界(如选择错误、安全系数小等)在电流达到RBSOA的极限边界之前，立即关断器件，以保护器件。

　　3.短路超时是指受到IGBT电流值的限制或超过SCSOA(短路安全工作区)的大边界。例如，当额定电流为4-5倍时，IGBT在10us内关闭。此时，如果IGBT的大电压已经超过装置的标称值，IGBT将在更短的时间内切断。

　　4.过电压损坏和静电损坏当IGBT静态参数测试系统被切断时，由于逆变电路中的电感分量，瞬间产生峰值电压。如果峰值电压超过IGBT器件的非常高的峰值电压，IGBT击穿将被破坏。IGBT过电压的危害可分为集电器的电网过电压、电网导体过电压、高DU/DT过电压等。绝大多数过压保护电路都设计得很好，但是对于高DU/DT引起的过压故障，基本都是用无用电容或者RCD结构吸收电路。由于吸收电路的吸收能力不足，导致IGBT损坏，所以可以使用电压钳。通常使用集电极-栅极和二极管的两端。当二极管的电压发生扭曲时，栅极上会叠加一个好的电压(米勒效应起作用)，避免因集电极极性传输的传递而损坏IGBT静态参数测试系统。

5.利用栅极电压的动态控制，表面上可以解决高DU/DT传输的高电压问题，但其缺点是半桥结构在情绪负载时中断了IGBT。由于其反合并二极管(续流二极管)的恢复，使得Epitoma的流行病发射端两端的电压急剧上升，从而经历瞬时DU/DT。在大多数情况下，DU/DT值高于正常情况下IGBT棒电压的电压增长率。由于密勒电容(CRES)的存在，DU/DT值产生一个瞬时电流，流向栅极驱动电路。电流门电路的阻抗相互作用直接导致门极传输电极的电压值加大，甚至IGBT开口的VGETH值加大。坏情况下，触发IGBT误差，导致变压器桥臂短路。