IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），又称为绝缘闸极双极性电晶体。

IGBT归类在功率半导体元件的电晶体领域。

功率半导体元件（电晶体领域）除了IGBT之外，还有MOSFET、BIPOLAR等，这些都能用来作为半导体开关。

IGBT是一种适合高电压、大电流应用的理想晶体管。IGBT的额定电压范围为400V至2000V，额定电流范围为5A至1000A，IGBT广泛用于工业应用（例如，逆变器系统和不间断电源（UPS））、消费类应用（例如，空调和电磁炉），以及车载应用（例如，电动汽车（EV）电机控制器）。

IGBT大约占电机驱动系统成本的一半，占到整车成本的5％，是整部电动车成本第二高的元件（成本第一高的是电池）。毫不夸张地说，这就是电动车领域的“核心技术”。

从结构上讲，IGBT主要有三个发展方向：

1、IGBT纵向结构：非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型；

2、IGBT栅极结构：平面栅机构、Trench沟槽型结构；

3、硅片加工工艺：外延生长技术、区熔硅单晶；

按照封装工艺来看，IGBT模块主要可分为焊接式与压接式两类。高压IGBT模块一般以标准焊接式封装为主，中低压IGBT模块则出现了很多新技术，如烧结取代焊接，压力接触取代引线键合的压接式封装工艺。

随着IGBT芯片技术的不断发展，芯片的最高工作结温与功率密度不断提高，IGBT模块技术也要与之相适应。未来IGBT模块技术将围绕“芯片背面焊接固定”与“正面电极互连”两方面改进。