特大功率IGBT测试系统：IGBT模块常规测量及故障修复方法是什么？

绝缘栅双极晶体是由BJT（双极三极管）和MOS（绝缘栅场效应管）组成的复合型全控压驱动型功率半导体器件。方向压降的两个方面的优点，那么特大功率IGBT测试系统：IGBT模块常规测量及故障修复方法是什么？

特大功率IGBT测试系统：IGBT模块常规测量及故障修复方法是什么？

该IGBT模块具有节能、安装维护方便、散热稳定的特点。目前市场上销售的这种模块化产品通常称为IGBT模块；IGBT是能量转换和传输的核心器件，俗称电子电子器件的“CPU”。先进技术广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车和新能源设备。市场上这样的产品。会越来越普遍。

1.判断首先，万用表配置在R1K文件中。用万用表测量时，如果某一极电阻值为无穷大，表笔后该极电阻值仍为无穷大，则确定极门（G g）确定，其余用万用表测量。如果测得的电阻值为无穷大，则换形笔后测得的电阻值较小。在较小的测量值，判断红色表和笔连接到电源收集器。

2.判定好坏将万用表拨到R10K档，用黑色表笔连接IGBT集电器，用红色表笔连接IGBT。此时万用表指针为零。用手指触摸网格并同时收集电。此时，IGBT被触发了。万用表的指针放在电阻值小的方向，可以站在某个位置的方向。然后用手指同时触碰网格和发射杆。此时IGBT被阻断，万用表指针会归零。这时，你可以判断IGBT是好的。

3.调查和预防措施任何指针都可以用来检测IGBT。注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨到R10K档。因为R1K档以下的R1K档内部电池电压内部电压过低，检测良好时无法开启IGBT，但本质上无法判断IGBT的好坏。这种方法也可以用来检测功率场的功率场效应好坏。

4.调速系统中的核心“逆变器”是一个复杂的电子系统，容易受到电磁环境的破坏。工业系统运行过程中，生产过程的连续性不允许系统停止，否则将意味着巨大的经济损失。特别是在一些特殊应用场合，如自动化和宇宙空间系统、核能和危险化工厂，不允许变频器因故障停机，以避免非正常停机造成的巨大经济损失。

5.严格来说，由变频电机组成的控制系统中的任何功能单元、任何元件都是有可能的，但某一部分频率频率器件出现故障的几率要比电机高得多。在变频器中，IGBT在使用过程中经常受到容量或感性负载的影响，这可能会对IGBT造成损坏。

特大功率IGBT测试系统：IGBT号受损的原因是什么呢？

1.过电流损坏锁定效果。IGBT是一个带有寄生晶体管的复合器件。在规定的漏极电流范围内，NPN的正偏置不足以引导NPN晶体管。NPN晶体管开路，NPN或PNP晶体管饱和。于是寄生晶体管被打开，栅极失去控制，锁定效应出现。IGBT有锁定效果后，电极电流过大，造成技能过多而损坏设备。

2.长期过度奔跑。IGBT模块长期过流运行意味着IGBT运行指标达到或超过当前安全边界（如选择错误、安全系数小等。）.该装置必须在电流达到RBSOA极限边界之前立即关闭，以达到保护装置的目的。

3.短路超时是指受IGBT电流值限制或超过SCSOA（短路安全工作区）的很大边界。例如，当4-5倍额定电流时，IGBT在10us内关闭。如果此时IGBT的很大电压已经超过装置的标称值，则在更短的时间内切断IGBT。

4.过电压损坏和静电损坏当IGBT被切断时，由于逆变器电路中的电感分量，瞬间产生峰值电压。如果峰值电压超过IGBT器件的很高峰值电压，IGBT击穿将被破坏。IGBT过电压的危害可分为集电器格栅过电压、格栅传导极过电压、高DU/DT过电压等。大部分过压保护电路设计比较完善，但对于高DU/DT引起的过压故障，基本都是用无用电容或RCD结构的吸收电路。于吸收电路的吸收能力不足，导致IGBT损坏，为此可以使用电压钳。通常使用集电极-栅极和二极管的两端。当二极管的扭转电压时，好的电压将叠加在栅极上（米勒效应起作用），以避免由于集电极的极性传输的传输而损坏IGBT。

5.使用栅极电压动态控制可以解决表面传输高DU/DT的高电压问题，但其缺点是当IGBT处于情绪负载时，半桥结构中断IGBT。由于其反合并二极管（续流二极管）的恢复，Epitoma的流行病发射两端的电压急剧上升，从而经历瞬时DU/DT。在大多数情况下，DU/DT值高于IGBT正常时棒电压的电压增长率。由于密勒电容（CRES）的存在，DU/DT值产生一个瞬时电流，并流向栅极驱动电路。电流与门电路的阻抗相互作用直接导致栅极传输极电压值的增加，甚至IGBT开口的VGETH值的增加。恶劣的情况是触发IGBT误差，造成变压器桥臂短路。