IGBT，是复合全控型电压驱动式功率半导体器件，现代电力电子行业里的“CPU”，主要作用是功率变换。自20世纪80年代发展至今，其芯片技术已经经历了7代升级，整体趋势朝着高电压、高频率、大电流、低损耗的方向发展。

IGBT是新能源车电驱动、工控变频器、光伏风电、储能逆变器和充电桩的核心部件。在新能源汽车爆发之前，已广泛应用于家电、工控等领域，市场前景广阔。这一轮行业发展的驱动力主要来自新能源汽车、光伏发电，以及智能家居。

根据IGBT不同的电压等级，应用于不同的细分行业。比如新能源汽车的电控系统中，IGBT主要应用于逆变器，通过直-交转换，改变蓄电池的电流性质，进而驱动电机运转，类似于是电力电子装置的心脏。即使在同一领域，比如新能源汽车方向，也因为指标不同带来的价格、性能差异，而被使用在不同的场景中，A0级车一般10万内的采用650V，10万到数十万的用750V的，商用车、物流车C级车都是高电压......如此重要的角色，使得IGBT模块占据了电控系统小一半的成本，直流充电桩三分之一的成本。

其实在新能源汽车领域，IGBT面临着来自碳化硅模块的竞争。IGBT的发展目标是功率密度做的更大，损耗更低，但现有技术下进步空间不大，更多在往碳化硅方向升级。目前不少新能源车型都开始采用碳化硅相关产品。有预测三年内碳化硅功率模块会完成对IGBT的替代，另有专家认为没这么快，逆变器等可能会全部完成，其他部分可能先完成高压部分的替代。

在产业链方面，近几年中国IGBT产业已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整产业链，IGBT国产化的进程加快，在以SiC、GaN为代表的宽禁带材料具有突破传统硅材器件性能极限的优势，具有极强的战略性和前瞻性。技术壁垒在材料的制备，国内外技术差距在不断缩小。