我一直在梳理设备方面的知识。二极管已经被分类，一些MOS相关的内容已经写在前面。我还没有梳理过三极管测试仪。

为了完善知识体系，我在网上学习、查阅并找到了一篇关于如何理解三极管测试仪工作原理的更好的文章。我觉得很好。我把它整理出来，分享给大家。

至于三极管测试仪，我相信每个从事硬件行业的人都应该看到它的基本原理。现在我们回顾旧的，了解新的，所以很好用问题来看待它。

这里我准备了几个问题。让我们看看这些问题。

1.为什么集电极结具有反向偏置导电并产生IC，这似乎与二极管原理强调的PN结的单一导电性相矛盾。

2.为什么集电极电流IC在放大状态下只受电流IB控制，与电压无关；

这就是为什么IC和IB之间存在固定的放大率关系。尽管基区很薄，但只要IB为零，IC为零。

3.在饱和状态下，当VC电位很弱时，仍会出现反向大电流IC。

为什么以上三点是正确的？

许多教科书在解释方法上对这一部分处理不当。特别是对于流行的初中生教科书，大多采用回避的方法，只给出结论而不给出理由。

即使是高度专业化的教科书，大多数使用的解释方法也有值得讨论的问题。这些问题主要体现在讲解方法的切入角度不恰当，使得讲解内容相互矛盾，甚至导致说胜于不说的效果，使初学者阅读后容易产生困惑。

传统方法和问题

传统的方法一般分为三个步骤。以NPN型为例（以下所有讨论均以NPN型硅管为例）。

1.将电子从发射区注入基极区；

2.电子在基区的扩散和复合；

3.集电极区域收集从基极区域扩散的电子。

问题1：在步骤3中，在解释集电极电流IC的形成原因时，这种解释方法没有从载流子的性质着眼于集电极区域的反向偏置传导，导致IC，而是不当地强调了VC的高电位效应和薄基区。这种强调很容易被误解。认为只要VC足够大，基区足够薄，集电极结可以反向导电，PN结的单向导电性就会失效。事实上，这恰恰与三极管测试仪的电流放大原理相矛盾。三极管测试仪的电流放大原理只要求在放大状态下，IC和VC在数量上是独立的，IC只能由IB控制。

问题2：三极管测试仪的饱和状态不能很好地解释。当三极管测试仪工作在饱和区时，VC值很小，甚至低于VB。此时，仍然存在较大的反向饱和电流IC，即当VC非常小时，集电极结仍将具有反向导通。这显然与强调VC的高潜力效应相矛盾。

问题3：传统说法的第2步过分强调了薄基区，这也容易让人产生这样的误解，即薄基区足以支持三极管测试仪集电极结的反向传导。只要基区足够薄，集电极结就可能失去PN结的单向导电性。