先进工艺制程成本的变化是一个有些争议的问题。成本问题是一个复杂的问题，有许多因素会影响半导体制程成本。本文将讨论关于半导体制程的种种因素以及预期。

　　晶圆成本

　　影响半导体工艺制程成本的第一个因素是晶圆成本。

　　毫无疑问，晶圆成本在不断上升。制程的金属层数随着工艺的演进不断上升，在130nm时典型的制程有六层金属，而到了5nm节点则预期至少会有14层金属。

　　从90nm节点开始开始引入应力技术以继续增强晶体管的性能，这也会增加制程的成本。从45nm到28nm节点，半导体制程引入了high-k栅技术以增强性能。

　　另一个变化是晶体管阈值电压数目的变化。在130nm节点，晶体管只有两种阈值(常规阈值RVT管与低阈值LVT管)，而到了16nm之后，有了多达五种阈值(超高阈值UHVT，高阈值HVT，常规阈值RVT，低阈值LVT与超低阈值ULVT)。这是因为，从40nm到16/14nm FinFET，短沟道效应越来越明显，为了控制漏电流必须引入多种阈值的器件。显然，这也会增加掩膜成本。

　　在先进半导体制程中，还会引入新的技术，如在16/14nm节点引入的FinFET技术，在5nm引入的堆叠横向纳米线(stacked horizontal nanowire )技术。