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MOS管测试仪

MOS管测试仪设备功能 适用于传统硅基及SiC二极管、三极管、MOSFET、J-FET、IGBT单管及模块、整流桥、可控硅、光耦、PIM及IPM模块等十九大类半导体分立器件全静态参数测试
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产品描述
参数
  1. MOS管测试仪设备功能

适用于传统硅基及SiC二极管、三极管、MOSFET、J-FET、IGBT单管及模块、整流桥、可控硅、光耦、PIM及IPM模块等十九大类半导体分立器件全静态参数测试

  1. MOS管测试仪运行条件

温度:25±5℃

相对湿度:<60%,在或/低于30℃

通风条件:设备四面距离墙面大于5cm

交流电源:220V±10%,47-63Hz,良好的测试仪器接地

  1. MOS管测试仪可测试器件种类及参数

1)、二极管:DIODE

测试参数:IR、BVR、VF

       2)、晶体管:TRANSISTOR(NPN型/PNP型)

           测试参数:ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)

       3)、稳压(齐纳)二极管:ZENER

           测试参数:IR、VZ、MIN、VZ MAX、VF

       4)、结型场效应管:J-FET(N-沟/P-沟,耗尽型/增强型)

           测试参数:IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS、IDSON、RDSON、gFs

       5)、MOS场效应管:POWER MOSFET(N-沟/P-沟)

           测试参数:IDSS、IGSSF、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON、VF、IDON、VGSON、RDSON、gFs

       6)、三端稳压器:REGULATOR(正电压/负电压,固定/可变)

           测试参数:VOUT、IIN

       7)、光电耦合器:OPTP-COUPLER(NPN型/PNP型)

          测试参数:ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF

      8)、可控硅整流器(普通晶闸管):SCR

          测试参数:IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、I GT、VGT、IL、IH

      9)、双向可控硅(双向晶闸管):TRIAC

          测试参数:IDRM、IRRM、IGKO、VD+、VD-、BVGKO、VT+、VT-、I GT 1/2/3/4、VGT 1/2/3/4、IL+、IL-、IH+、IH-

     10)、绝缘栅双极大功率晶体管:IGBT(NPN型/PNP型)

          测试参数:ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF

     11)、光电逻辑器件:OPTO-LOGIC

          测试参数:IR、VF、VOH、VOL、IFON、IFOFF、ITH+B、ITH-B、ITH+1、ITH-1

     12)、双向触发二极管:DIAC

          测试参数:IR、BVR、VF

     13)、固态过压保护器:SSOVP

          测试参数:ID+、ID-、VCLAMP+、VCLAMP-、VT+、VT-、IH+、IH-、IBO+、IBO-、VZ+、VZ-、VT+、VT-

     14)、光电开关管:OPTO-SWITCH

          测试参数:ICOFF、VD、Notch=IGT1、IGT4、VON=VSAT、ION=IGT1、IGT4、IOFF=IGT1、IGT4

     15)、硅触发开关:STS

          测试参数:IH+、IH-、VSW+、VSW-、VPK+、VPK-、VGSW+、VGSW-

     16)、继电器:RELAY

          测试参数:RCOIL、VOPER、VREL、RCONT、OPTIME、RETIME

     17)、金属氧化物压变电阻:MOV

          测试参数:ID+、ID-、VN+、VN-、VC+、VC-

     18)、压变电阻:VARISTOR

           测试参数:ID+、ID-、VC+、VC-

     19)、达林顿阵列:DARLINTON

          测试参数:ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)

  1. 外形尺寸

尺寸(mm):600(宽)×800(长)×1900(高)

关键词:
MOS管测试仪
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