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IGBT动态参数测试系统

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产品描述
参数

半导体分立器件动态测试系统是全智能高速测试系统,可用于1200V/1700V/3300VIGBT模块开通时间、关断时间、快恢复二极

管反向恢复时间、反向电流及反向恢复电荷的测试,通过示波器采集波形,由计算机处理数据并显示测量结果。

通过配置不同的夹具单元,可实现对不同封装器件的测试。

技术性能指标

IGBT开关特性测试

 

开关时间测试条件                                 


Ic:5A~1000A(可扩展)

Vce:10V~3500V(可扩展)

Vgs:-10V~+20V

Rg:1R~100R可调(可选择4档及外接)

负载:感性负载阻性负载可切换

电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH

电阻范围:0.5R1R2R4R

IGBT开关特性测试参数

开通延迟td(on):20nS-10uS

上升时间tr:20nS-10uS

开通能量Eon:0.1-1000mJ

关断延迟时间td(off):20nS-10uS

下降时间tf:20nS-10uS

关断能量Eoff:0.1-1000mJ

二极管反向恢复特性测试

反向恢复时间trr:20nS-2uS

反向恢复电荷Qc:10nC-10uC

反向恢复电流lrm:5A~1000A

反向恢复损耗Erec:100nJ-10J

IGBT动态参数测试系统,功能可扩展,可根据用户要求定制

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