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为什么叫IGBT

日期:2017年8月7日

IGBT是目前功率器件里技术最先进成熟的产品,已经全面取代了传统的Power MOSFET,其应用非常广泛,小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业,被称为电力电子行业里的CPU

                    全球IGBT市场竞争格局

IGBT的功能其实很简单,就是一个电路开关,与晶体管相比,就是电压电流超大而已。电子产品中,能用数字信号控制的强电开关有很多种,IGBT之所以能够从众多的原因在于,在它这个电流电压等级下,它支持的开关速度是最快的,一秒可以开关几万次。GTO开关速度低,损耗大;IGCT本质上是GTO,在结构上做了优化,开关速度和最大电压电流都介于GTOIGBT之间;大功率MOSFET速度快,但电压电流都很小。简单讲,IGBT是一个非通即断的开关。IGBT融合了BJTMOSFET两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低。

 那么,IGBT的名称是从何而来的呢?实际上,IGBT一开始并不叫IGBTIGBT(绝缘栅双极型晶体管)发明于上世纪80年代初,多家公司几乎同时并独立地发明了这种器件,刚开始各公司对这种器件的称谓并不一致。

GE公司刚开始称其为IGRinsulated-Gate Rectifer),其论文于19821214日在IEDM(国际电子器件会议)上发表。

RCA公司称其为COMFETConductivity-Modulated FET)并在同一天得到美国专利局的专利批准,接着想IEDM提交了正式论文。

Motorola公司也独立发明了该器件,称GEMFETGain-Enhanced MOSFET)。

加州伯克利分校发明了类似器件,称为BMT(Bipolar MOS Transistor)及IBTInsulate-Base Transistor)。

GE公司后来将他们的发明从整流器改称IGTInsulate-Gate Transistor)。

IGBT的命名最终源自于德国西门子,西门子公司给这种新器件命名IGBTInsulate-Gate Bipolar Transistor),由于西门子的IGBT发展迅猛,研究生产的IGBT性能突出,,最终IGBT的命名得到市场的广泛认同,得以确定。

历经三十余年,虽然IGBT技术已经多次更新,但是给IGBT命名的光荣也始终属于西门子。直至今日,由西门子半导体部门更名而成的英飞凌科技公司仍是行业标杆。在技术领域,唯有绝对的优势才能占领市场的领先位置。

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