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中信证券-电子行业化合物射频半导体深度研究报告

日期:2016年12月16日

  化合物射频半导体:百亿美元空间、持续稳健成长。2015 年全球射频功率放大器市场规模84.5 亿美元,化合物射频半导体占比高达95.33%。预计2020 年市场总量增至114.16 亿美元,2014 至2020 年复合增长率7.51%。

  砷化镓器件应用于消费电子射频功放,是3G/4G 通讯应用的主力,物联网将是其未来应用的蓝海;氮化镓器件则以高性能特点目前广泛应用于基站、雷达、电子战等军工领域,利润率高且战略位置显著,由于更加适用于5G,氮化镓有望在5G 市场迎来爆发,而砷化镓则是5G 功放的另一种备选。

  寡头垄断竞争,市场格局渐变。全球化合物射频芯片设计呈现IDM 三寡头格局,2015 年IDM 厂商Skyworks、Qorvo、Avago 在砷化镓领域分别占据32.3%、25.5%、7.8%市场份额;产业链呈现多模式整合态势,设计公司去晶圆化及IDM 产能外包成必然趋势,未来行业整合仍将持续;化合物半导体代工市场将加速成长,预计2018 年扩张至百亿人民币规模。

  四大逻辑看好国内化合物射频半导体行业发展前景:第一,国家意志及内需支持本土化合物射频集成电路发展。射频芯片大陆需求端市场全备,高端/军用供给受国外“芯片禁运”遏喉,本土化迫在眉睫。第二,IC 国产化趋势明朗,优秀设计公司不断涌现。受益于产业发展和人才回流,大陆化合物射频厂商2G 领域出货量已远超国外IDM 大厂,合计市场份额占比超过75%;3G/4G 领域技术突破在即,国产化替代加速。第三,设计推动产业发展,化合物半导体产业链初现。未来大陆有望打造“设计(信维通信、长盈精密、唯捷创芯、锐迪科、汉天下、国民飞骧、中普微电子、慧智微)+晶圆代工(三安光电、海特高新)+封装测试(长电科技+晶方科技+华天科技+大港股份)”PA 类IDM 全产业链。第四,“大基金”注资支持,大陆化合物晶圆代工龙头“呼之欲出”。三安光电融资投产砷化镓/氮化镓器件产线项目,深度布局化合物半导体代工市场。产业总体趋势性向亚洲转移,大陆产业链雏形初现,代工环节极有希望由三安光电填补空白。半导体项目获国家层面支持,大基金48 亿元投资成为公司第二大股东,25 亿美元规模产业合作基金、国开行对三安集团及三安光电的200 亿信贷额度,将助力公司外延爆发式增长。2019 年全部达产后产能可达36 万片(砷化镓30 万片,氮化镓6 万片),有望占据全球27.3%的代工份额。

  风险因素:下游周期性波动;市场竞争加剧;新技术替代。

  投资策略: 设计关注并购,制造追踪“龙头”。(1)上游设计领域:重点关注化合物射频PA 公司被并购机会。PA 设计公司独立生存的空间逐步缩小。

  出于提升性能、降低成本、提升平台竞争力等因素考虑,占据资金和产业优势的基带芯片公司,具备收购射频设计公司补全平台设计链的强烈意愿。

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