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半导体设备国产化五大难点怎么破?

日期:2016年12月13日

  OFweek电子工程网讯 作为我国实施制造强国战略第一个十年的行动纲领,《中国制造2025》对于半导体设备国产化提出了明确要求:在2020年之前,90~32纳米工艺设备国产化率达到50%,实现90纳米光刻机国产化,封测关键设备国产化率达到50%。在2025年之前,20~14纳米工艺设备国产化率达到30%,实现浸没式光刻机国产化。到2030年,实现18英寸工艺设备、EUV光刻机、封测设备的国产化。

  从产业链各环节国产化的难度来看,设备>制造>封装>设计是不争的事实。不过,近期国内各地已刮起一阵大上半导体晶圆制造产线的东风。我国设备业能否抓住这难得的契机,一举实现《中国制造2025》的既定目标?

  国产设备到底差在哪?

  中国半导体行业要实现从跟踪走向引领的跨越,装备产业将是重要环节。国内半导体设备龙头企业北方微电子副总裁纪安宽认为,发展国产半导体装备具有重要战略意义,半导体设备国产化将大幅降低中国芯片制造商的投资成本,提高中国芯片制造竞争力。

  但由于半导体设备对本土企业存在着很高的进入门槛,目前国产化率较低。“半导体设备研发周期长,投资额大且风险高,而且越先进的制程工艺设备造价越高,比如一台ASML的光刻机动辄就是4千万~5千万美元。”纪安宽表示,“即使研发成功也较难打入国际大厂的供应链。”

  从产业链的角度来看,先不说技术难度,单论各环节在中国的适应性,即是设计<封装<制造<设备和材料。行业专家莫大康认为,发展设备业之所以最为困难,除了资金、人才等问题,最关键是使用量太少。

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