碳化硅器件测试仪性能优势

碳化硅器件测试仪的高速发展优化了功率开关器件的硬电源开关特点，抗压可以达到数十万伏，耐高温达到500℃左右，其性能优势如下所示：

1、宽禁带可大幅度减少漏电流，从而降低功率器件消耗

2、高击穿场强可以提高功率器件抗压能力和电流强度，减少总体规格

3、高导热系数能改善耐热水平，有利于器件排热，减少降温设备容积，提升处理速度，提升功率

4、强防辐射水平，比较适合在外星球等辐照度环境下运用。本质上。SiC器件是促进髙压、持续高温、高频率、大功率及防辐射结合的理想化原材料，广泛应用于功率大的场所，可以实现控制模块与应用全的微型化、一体化，提升功率和系统高效率

第三代半导体材料因为带隙大、发光效率高、电子器件飘移饱和状态速率高、导热系数高、硬度高、相对介电常数小、物理性质平稳及其防辐射性价比高、耐热等优点，在亮度对比发光二极管、紫外线—高清蓝光激光发生器和紫外线探测仪等光电材料器件及其防辐射、大功率、高频率、持续高温、髙压等电子器件器件域有着运用价值和广阔的市场前景。在其中碳化硅和氮化镓为典型性第三代半导体材料。

碳化硅衬底依据导电率来区分，可以分为半绝缘层型衬底（电阻超过1E7Ω•cm）和导电性型衬底。在其中，导电性型碳化硅衬底适合于生长发育碳化硅外延片，广泛应用于生产制造耐热、耐高压的功率器件如IGBT；半绝缘层型碳化硅衬底适合于生长发育氮化镓外延片，广泛应用于微波射频器件等行业。文中浅详细介绍碳化硅衬底常见精确测量方式。

一、单晶硅片几何参数精确测量

单晶硅片几何参数主要包含单晶硅片薄厚、TTV、和BOW/Warp等，一般常见测试标准为电子光学干预法及电容器法。

1）电子光学干预法具备测试速度快，精密度高的特点，机器设备价格比较贵，关键被Corning企业所采用，其Tropel系列产品广泛应用于几何参数隧道检测。

测试原理：掠入式干预

2）电容器法几何参数检测仪相对性成本低，在单晶硅片衬底里被广泛采用，对碳化硅衬底也适用。

测试原理：电容器测厚

二、表面缺陷分析

碳化硅衬底的表面缺点有表面颗粒物、刮痕和晶格缺陷等，通常采用碳化硅单晶硅片缺点功能测试。

测试原理：

运用激光器在衬底表面的透射，能够剖析衬底表面里的颗粒大小和缺点形状，根据激光器对衬底表面面扫描仪，可以获得衬底上颗粒和偏差的面分布特征，另外在荧光光谱（PL）程序模块的支持下，能够进一步分析衬底内部结构的不足复合型核心，为衬底质量评价给予更专业的信息内容。