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• 发布时间：2022-12-06
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【概要描述】SiC（碳化硅）是一种由硅（Si）和碳（C）构成的化合物半导体材料。SiC的优点不仅在于其绝缘击穿场强（Breakdown Field）是Si的10倍，带隙（Energy Gap）的Si的3倍，而且在器件制造时可以在较宽的范围内实现必要的P型、N型控制，所以被认为是一种超越Si极限的用于制造功率器件的材料。