特大功率IGBT测试系统：IGBT测试系统难点是什么？

IGBT是用于功率变换和频率变换的功率半导体器件，相当于电力电子领域的“CPU”。BJT和MOSFET的性能优势具有高电阻、大电流、低导通损耗的特点，随着工艺的升级，芯片面积、宽工艺线、功耗、周转时间、开关功耗都在下降。其主要应用包括传统的工业控制和家电，以及新兴的电动汽车和新能源发电，那么特大功率IGBT测试系统：IGBT测试系统难点是什么？

特大功率IGBT测试系统：IGBT测试系统难点是什么？

1.由于IGBT是一个多入口设备，测试需要多个测量模块。

2.og的漏电流越小越好，所以测试需要高精度的器件。

3.千兆比特的动态电流范围很大。测试时需要大型模块，量程可以自动切换测试。

4.由于IGBT工作在强电流下，自热效应明显，脉冲测试可以降低自热效应。因此，在评估期间，MOSFET需要进行脉冲IV测试自加热特性。

5.MosFet的电容曲线是其特性表征的重要内容，与其高频应用密切相关。所以IGBT的电容测试非常重要。

6.GBT开关的特性非常重要，需要双极动态参数。

特大功率IGBT测试系统：大功率IGBT静态参数测试系统介绍是什么？

1.电力设备静态参数测试系统集成了多种测量和分析功能。它可以精确测量功率器件电压可高达3KV，电流可高达4KA。该系统可以测量不同封装类型功率器件的静态参数，具有高电压大电流特性、U级电阻、精确测量PA级电流等特点。支持测量高压模式下的电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

2.它是由BJT（双极三极管）和MOS（绝缘栅场效应管）组成的复合型全控压驱动半导体器件。它的输入极是MOSFET，输出极是PNP晶体管。MOS输入达灵顿。它综合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点，具有易于驱动、峰值电流能力、自翻转、高开关频率（10-40 kHz）等特点。

3.它已经逐渐取代了碎晶管，是目前发展很快的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的逆变电源、电机调速、UPS和逆变焊机。

4.IGBT的开关功能是通过在栅极电压上加正来形成沟道，为PNP晶体管提供基极电流，以驱动IGBT。相反，增加反向门电压以消 除沟道，切断基极电流，并关闭IGBT。从图2可以看出，如果在IGBT的栅极和发射极之间加正电压，MOSFET导通，使PNP晶体管的集电极处于低阻状态，晶体管导通；检测需要哪些仪器？

5.IGBT测试难度，因为IGBT是多端口设备，所以需要多个测量模块来协同测试，漏电流越小越好，所以测试需要高精度的器件，千兆比特的动态电流范围很大。测试时需要大型模块，量程可以自动切换测试，由于IGBT工作在强电流下，自热效应明显，脉冲测试可以降低自热效应。因此，在评估期间，MOSFET需要进行脉冲IV测试自加热特性，电容曲线是其特性表征的重要内容，与其高频应用密切相关。所以IGBT的电容测试非常重要。

6.IGBT开关对于静态参数测试，如果IGBT的静态参数没有问题，动态参数（开关时间、开关损耗、二极管的二极管反向恢复、续流二极管的二极管）、短路和热阻。下面是IGBT的静态参数测试。要执行IGBT静态参数测试，首先，你要了解什么是静态IGBT。