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三极管测试仪厂家:三极管的基本结构和分
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- 发布时间:2021-12-23
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【概要描述】三极管测试仪厂家:三极管的基本结构和分类
三极管测试仪厂家:三极管,全称应该是半导体晶体管,又称双极三极管,是一种控制电流的半导体器件。它的作用是将微弱的信号放大成幅度较大的电信号,也用作非接触开关。晶体管是半导体的基本元件之一,具有电流放大功能,是电子电路的核心元件。晶体管是在半导体衬底上制作两个PN结,这两个pn结彼此非常接近。两个PN结把整个半导体分成三部分,中间是基区,两边是
三极管测试仪厂家:三极管的基本结构和分
【概要描述】三极管测试仪厂家:三极管的基本结构和分类
三极管测试仪厂家:三极管,全称应该是半导体晶体管,又称双极三极管,是一种控制电流的半导体器件。它的作用是将微弱的信号放大成幅度较大的电信号,也用作非接触开关。晶体管是半导体的基本元件之一,具有电流放大功能,是电子电路的核心元件。晶体管是在半导体衬底上制作两个PN结,这两个pn结彼此非常接近。两个PN结把整个半导体分成三部分,中间是基区,两边是
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三极管测试仪厂家:三极管的基本结构和分类
三极管测试仪厂家:三极管,全称应该是半导体晶体管,又称双极三极管,是一种控制电流的半导体器件。它的作用是将微弱的信号放大成幅度较大的电信号,也用作非接触开关。晶体管是半导体的基本元件之一,具有电流放大功能,是电子电路的核心元件。晶体管是在半导体衬底上制作两个PN结,这两个pn结彼此非常接近。两个PN结把整个半导体分成三部分,中间是基区,两边是发射区和集电区,有两种排列:PNP和NPN。
三极管测试仪厂家:三极管的基本结构
晶体管(以下简称晶体管)按材料分为两种:锗管和硅管。有两种类型的结构,NPN和PNP,常用的是硅NPN和锗PNP三极管。(其中,N表示负极(在英文)中表示负极,N型半导体在高纯硅中加入磷取代部分硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,P表示正极,加入硼取代硅,产生大量空穴导电。).除了电源极性不同,它们的工作原理是一样的。
对于NPN晶体管,它由两个N型半导体组成,中间夹着一个P型半导体。发射区和基区之间形成的PN结称为发射极结,而集电区和基区之间形成的PN结称为集电极结。这三根引线分别称为发射极e(发射极)、基极B(基极)和集电极c(集电极)。
三极管测试仪厂家:三极管的基本分类
A.按材质分为:硅管和锗管。
B.按结构分为: NPN和PNP。
C.分:开关管、功率管、达林顿管、光敏管等。根据功能。
D.按功率:低功率管、中功率管、高功率管。
E.按工作频率:低频管、高频管、超频管。
f根据结构和工艺:合金管和平面管。
G.插入式三极管和片式三极管按照安装方法:
三极管测试仪厂家:三极管的主要参数
三极管的参数很多,可以分为三类:DC参数、交流参数和极限参数。
1.DC参数(1)集电极-基极反向饱和电流Icbo集电极-基极反向饱和电流是指发射极开路,在基极和集电极之间施加规定的反向电压Ucb时的集电极反向电流。
(2)集电极-发射极反向电流Iceo集电极-发射极反向电流,也称为穿透电流,是指当基极开路时,在集电极和发射极之间施加规定电压Vce时的集电极电流。
(3)发射极-基极反向电流Iebo发射极-基极反向电流是指在集电极开路时,在发射极和基极之间施加规定的反向电压时,发射极的电流,实际上是发射极结的反向饱和电流。(4) DC电流放大系数(或hFE) DC电流放大系数是指当没有交流信号通过共发射极连接输入时,集电极的DC电流与基极的DC电流之比。
2.交流参数(1)交流电流放大系数(或hFE)交流电流放大系数是指采用共发射极连接时,集电极输出电流的变化 IC与基极输入电流的变化 IB之比。
(2)截止频率f和f晶体管的频率参数描述了晶体管的电流放大系数对高频信号的适应性。根据f的定义,所谓的共源共栅截止频率并不意味着此时晶体管已经完全失去放大功能,而只是共源共栅电流放大系数的幅频特性下降了3dB。
(3)特征频率当信号频率上升时,晶体管的减小。当降至1时,对应的信号频率称为共发射极特征频率,这是表征晶体管高频特性的重要参数。
3.极限参数(1)集电极ICM最大允许电流集电极允许电流是指当集电极电流IC增大到一定值,使值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。因此,当集电极电流超过允许集电极电流时,虽然管没有损坏,但值明显下降,影响放大质量。
(2)集电极-基极击穿电压U(BR)CBO集电极-基极击穿电压是指发射极开路时集电极结的反向击穿电压。
(3)发射极-基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极-基极反向击穿电压是指集电极开路时发射极结的反向击穿电压。
(4)集电极-发射极击穿电压U(BR)CEO集电极-发射极击穿电压是指当基极开路时,施加在集电极和发射极之间的允许电压,如果UCE >的话;U (br) CEO用了,管子就要坏了。
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