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IGBT封装形式

  • 分类:行业动态
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  • 来源:
  • 发布时间:2021-09-06
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【概要描述】一是TO标准塑封模块结构,此结构较简单,成本也较低,主要是单芯片或一个IGBT何一个二极管等两种形式,但是这种封装形式的热循环寿命有限。

IGBT封装形式

【概要描述】一是TO标准塑封模块结构,此结构较简单,成本也较低,主要是单芯片或一个IGBT何一个二极管等两种形式,但是这种封装形式的热循环寿命有限。

  • 分类:行业动态
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  • 发布时间:2021-09-06
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目前IGBT主要有以下几种封装形式:

一是TO标准塑封模块结构,此结构较简单,成本也较低,主要是单芯片或一个IGBT何一个二极管等

种形式,但是这种封装形式的热循环寿命有限。

二是工业/汽车级标准功率模块结构,目前来看,只要功率超过几个千瓦以上,都会采用这种模块

封装的形式,其特点是散热好,功率循环和热循环寿命相对较好,且工艺相比其他形式更为成熟,

成本相对适中。

三是压接式IGBT,这种封装方式没有焊层、引线键合,它最大的特点是功率容量大,拥有更高的安

全工作区(SOA),且具有失效短路特性,适用于串联应用、可以承受较高电压,但是工艺较为复

杂,成本较高。

 

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